格科微電子申請圖像傳感器形成方法專利，提升了像素的傳輸能力

金融界2024年10月29日消息，國家知識產權局信息顯示，格科微電子（上海）有限公司申請一項名爲“一種圖像傳感器形成方法及圖像傳感器”的專利，公開號 CN 118825040 A，申請日期爲 2023 年 4 月。

專利摘要顯示，本發明提供一種圖像傳感器形成方法，包括：刻蝕硅襯底形成隔離區域；通過氧化工藝於所述隔離區域形成隔離結構和浮置擴散區。通過自對準的工藝形成浮置擴散區和傳輸晶體管結構，並通過側邊的介質層厚度來均勻控制工藝形成浮置擴散區與傳輸晶體管的距離，並且，由於下沉式的傳輸晶體管結構，提升了像素的傳輸能力，增加了與浮置擴散區和其他器件在垂直方向的距離，降低了浮置擴散區的電場，同時減少了其他器件層的信號干擾，提升了暗電流質量。在此基礎上，本發明採用的立式結構晶體管能夠進一步降低源跟隨管的噪聲，提升飽和電流速度，從而優化圖像傳感器的質量。

本文源自：金融界

作者：情報員