福建省晉華集成電路申請半導體器件及其製作方法專利，提升位線結構的組件效能

金融界2024年10月25日消息，國家知識產權局信息顯示，福建省晉華集成電路有限公司申請一項名爲“半導體器件及其製作方法”的專利，公開號CN 118804592 A，申請日期爲2024年8月。

專利摘要顯示，本申請公開了半導體器件及其製作方法，包括襯底，淺溝槽隔離，和多個位線結構。襯底包括多個有源區。淺溝槽隔離設置在襯底中，包括高於襯底的表面的第一絕緣層和低於襯底的表面的第二絕緣層。位線結構設置在襯底上，至少包括導電層。至少一位線結構橫跨有源區和淺溝槽隔離的第一絕緣層和第二絕緣層，並且分別具有第一絕緣堆疊結構、第二絕緣堆疊結構和第三絕緣堆疊結構。第一絕緣堆疊結構、第二絕緣堆疊結構和第三絕緣堆疊結構包括彼此共平面的頂面和不同的堆疊材料。由此，位線結構的組件效能得以提升，從而優化半導體器件的操作表現。

本文源自：金融界

作者：情報員