不甩美國製裁！外媒爆華爲背後雄心：有望突破3奈米

華爲推進先進晶片製程技術。(示意圖／達志影像shutterstock)

美國2019年把大陸電信設備大廠華爲列入貿易黑名單，但在北京政府的支援下，華爲仍不斷突圍，根據外媒報導，華爲從去年下半年的7奈米一路往3奈米技術前進。

根據《Tom's Hardware》報導，華爲今年稍早與合作伙伴中芯國際（SMIC）送交名爲自對準多重圖案化（SAQP）的晶片專利，目標是生產5奈米晶片，而這項計劃的終極目標，是華爲和中芯使用DUV工具和多重圖案化，用來生產3奈米晶片。

報導指出，與華爲合作的國家支援晶片製造設備開發商SiCarrier，也獲得SAQP技術的專利，這證實中芯計劃將該技術用於未來的晶片製程節點。

報導提到，SAQP對於華爲和中芯來說至關重要，因爲在美國出口管制下，無法使用ASML的設備製造。英特爾先前爲了避免依賴曝光機，在2019年至2021年的10奈米制程上，也做過同樣的方式，但最後宣告失敗，主要在於良率問題。

雖然使用SAQP技術製成的晶片成本肯定更高，但該方法對於大陸半導體技術的進步很關鍵，對於消費性電子產品、超級電腦等應用，以及潛在的軍事能力發展也至關重要。