半導體元件工業申請用於具有注入隔離的JFET的方法和系統專利,能用於具有注入隔離的垂直結型場效應晶體管
金融界2025年5月12日消息,國家知識產權局信息顯示,半導體元件工業有限責任公司申請一項名爲“用於具有注入隔離的JFET的方法和系統”的專利,公開號CN119967899A,申請日期爲2020年12月。
專利摘要顯示,本申請實施例涉及用於具有注入隔離的垂直結型場效應晶體管(Junction Field Effect Transistor,JFET)的方法和系統。一種JFET,包括:襯底;有源區,該有源區具有多個半導體鰭;在鰭的上表面上的源極金屬層源極金屬盤層,該源極金屬盤層通過源極金屬層耦合到半導體鰭;柵極區,該柵極區圍繞半導體鰭;以及體二極管,該體二極管圍繞柵極區。
本文源自:金融界
作者:情報員
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