《半導體》聯電Q1毛利率估下探30％ 今年資本支出逆增1成

聯電去年第四季資本支出約6.57億美元，季增15.3％、年減34.2％，全年資本支出約30億美元、年增約11.1％。展望2024年，聯電資本支出預算爲33億美元、年增10％，其中95％將用於12吋晶圓廠、5％用於8吋晶圓廠。

聯電共同總經理王石表示，聯電將持續透過多元化的製造基地及差異化的12吋特殊製程，與業界領先企業合作開發下世代產品，在競爭激烈的市場和持續升溫的地緣政治緊張局勢中逆風前進。

聯電去年第四季晶圓出貨量約77.5萬片12吋約當晶圓，季減2.5％、年減21.2％，產能約120.4萬片，季增1.9％、年增6.5％，稼動率自67％微降至66％，美元平均售價（ASP）持平。隨着12A P6廠產能持續開出，首季產能估增至121.2萬片，季增0.7％、年增8.1％。

聯電日前宣佈與英特爾攜手開發12奈米鰭式場效電晶體（FinFET）製程，將於英特爾美國亞利桑那州OTF的12、22和32廠開發製造，預計於2027年投產。王石表示，此次合作爲聯電追求具成本效益的產能擴張和技術節點升級策略中的重要一環，延續對客戶的一貫承諾。

王石指出，與英特爾的合作不僅能協助客戶順利升級到新關鍵技術節點，同時也將受惠擴展北美地區產能帶來的供應鏈韌性。聯電期待此次12奈米FinFET製程的策略合作，能利用雙方的互補優勢，以擴大聯電潛在市場，同時大幅加快技術發展時程。