愛普*跨入IPD市場 營運添翼

愛普月合併營收表現

記憶體廠愛普*(6531)物聯網(IoT)事業羣及人工智慧(AI)事業羣佈局成功,包括類靜態隨機存取記憶體(PSRAM)出貨暢旺,晶圓堆疊晶圓(WoW)已進入量產階段並明顯貢獻營收。愛普*爲了開拓新市場,將與晶圓代工廠力積電(6770)攜手合作,以多年來在DRAM電容(capacitor)技術優勢,跨入半導體制程整合型被動元件(IPD)市場,大搶5G及B5G(Beyond 5G)裝置龐大商機。

受到晶圓代工廠產能吃緊及生產鏈長短料問題的影響,愛普*的PSRAM及利基型DRAM出貨延宕,11月合併營收月減4.6%達5.58億元,與去年同期相較仍大幅成長73.9%,累計前11個月合併營收60.25億元,較去年同期成長92.0%。而隨着生產鏈長短料問題逐步獲得紓解,愛普出貨將逐步回升,對未來2~3年維持樂觀展望,明年第一季將淡季轉旺。

包括4G數據機晶片及穿戴裝置微控制器(MCU)主流製程已微縮到7奈米或5奈米,一般記憶體晶片尺寸較大,無法符合數據機或MCU等邏輯晶片較小尺寸,愛普*因爲可以爲客戶進行客製化設計,縮小PSRAM及利基型DRAM的接腳數及晶片尺寸,符合邏輯晶片小尺寸需求,所以訂單能見度高,愛普*看好IoT事業羣明年出貨量會明顯優於今年。

由於高效能運算(HPC)晶片搭載的高頻寬記憶體(HBM)價格昂貴,愛普*推出全新DRAM介面的異質整合高頻寬記憶體(VHM)技術,透過WoW先進封裝可提供更大的記憶體頻寬但更低的成本,下半年已進入量產,今年相關DRAM晶圓銷售6億元目標可望順利達陣,未來2~3年已有10個專案將陸續投產並帶來明顯營收貢獻。

隨着5G智慧型手機快速發展,多頻段特性需要採用更多射頻元件,被動元件搭載數量同步大增,但手機要求輕薄短小,過多的射頻及被動元件會造成高頻傳輸耗損、功耗明顯提高、散熱難度大增等問題。而採用半導體制程的IPD因爲利用矽基板蝕刻出高深寬比的溝槽式(trench)結構,利用3D排列結構來解決射頻及被動元件過多帶來的負面影響。

蘋果iPhone採用IPD元件已逾5年,隨着5G手機未來幾年出貨量的快速增加,IPD元件因爲能與射頻元件進行阻抗匹配與去耦合等高頻電路設計,明年將進入成長爆發階段,且未來往B5G發展後還會帶來更強勁成長動能。

愛普*已經攜手力積電共同跨入IPD市場,並且展開與5G手機晶片廠合作,預計明年就可帶來營收貢獻。